快科技7月24日消息，据清华大学官网介绍，日前，清华大学化学系许华平教授团队在极紫外（EUV）光刻材料上取得重要进展，开发出一种基于聚碲氧烷的新型光刻胶，为先进半导体制造中的关键材料提供了新的设计策略。
随着集成电路工艺向7nm及以下节点推进，13.5nm波长的EUV光刻成为核心技术。
但EUV光源反射损耗大、亮度低，对光刻胶在吸收效率、反应机制和缺陷控制等方面提出更高要求。
现有EUV光刻胶多依赖化学放大或金属敏化团簇提高灵敏度，但往往结构复杂、组分不均、易扩散，容易引入缺陷。
学界认为，理想的EUV光刻胶应具备四项特性：高EUV吸收能力、高能量利用效率、分子均一性和尽可能小的构筑单元，以提升灵敏度、降低缺陷和线边缘粗糙度。
聚碲氧烷：理想的EUV光刻胶材料
