IT之家 11 月 10 日消息，中微半導體設備（上海）股份有限公司（簡稱“中微公司”）近日發佈其全新產品 ——Primo Matrix 雙反應臺等離子體晶圓切割設備，今日宣佈首臺設備已順利付運國內重要集成電路封裝客戶。
隨著先進封裝技術成為延續摩爾定律的重要路徑，晶圓切割作為封裝工藝中的關鍵環節，直接影響芯片良率與生產效率。
針對先進封裝對高精度、低損傷、窄切割道的迫切需求，中微公司在等離子晶圓切割設備領域取得重要突破，此次發佈的新品 Primo Matrix 系列宣稱是該公司在先進封裝領域等離子體切割賽道的核心自主成果，併為該路線國產化落地增添頭部方案選擇。
中微公司 Primo Matrix 採用在量產已得到充分驗證的 Primo TSV 的等離子體深硅刻蝕技術，集成雙反應臺刻蝕腔室及晶圓傳輸模塊，兼具高產能、高精度、低成本和靈活的工藝適配能力。
此設備兼容帶框架 200mm、300mm 晶圓高效率切割需求，在切割精度方面，此設備可適用於最小到 5μm 的不同切割道寬度工藝，減少晶圓面積損耗，提升有效芯片產出，滿足芯片微型化趨勢下的高精度晶圓切割需求。
在工藝兼容性方面，此設備支持 25–700μm 晶圓厚度範圍，覆蓋超薄晶圓與常規厚度晶圓的切割需求，適用於晶圓減薄後切割及多種先進封裝工藝。
同時，設備以 300mm 晶圓為主要加工平臺，向下兼容 200mm 晶圓切割工藝，提升了在不同尺寸晶圓生產線中的應用靈活性。
Primo Matrix 依託中微公司 Primo 平臺打造，系統最多可搭載 6 個刻蝕反應臺，適配長工藝時間需求。
此外，Primo Matrix 支持帶凸點晶圓正面等離子體切割、激光開槽後等離子體切割及晶圓背面刻蝕等典型工藝，滿足不同晶圓結構、工藝流程及封裝應用需求。
此設備同時具備介質層等硬掩膜開口刻蝕能力，可適配具有介質層及複雜表面結構的晶圓加工需求，進一步拓展了其工藝應用範圍。
目前，中微公司刻蝕設備全面覆蓋從 65 納米到 3 納米及更先進工藝的刻蝕應用，全面覆蓋存儲器中各類超高深寬比刻蝕應用。介質刻蝕達到 60 比 1、90 比 1 的極高深寬比，硅刻蝕達到 140 比 1 的極高深寬比，已經達到國際一流水平。該公司行業首創的雙反應臺（Dual-Station）ICP 刻蝕技術，已經達到 0.2 納米的單原子水平，相當於一根頭髮絲直徑的 30 萬分之一。
中微公司表示，未來五年計劃通過“有機生長和外延擴展”，持續拓寬產品矩陣，覆蓋包括刻蝕、薄膜、溼法和量檢測設備等約 60% 以上的高端半導體設備市場，以及 70% 以上的先進封裝設備市場。
來源：IT之家
