快科技7月24日消息，據清華大學官網介紹，日前，清華大學化學系許華平教授團隊在極紫外（EUV）光刻材料上取得重要進展，開發出一種基於聚碲氧烷的新型光刻膠，為先進半導體制造中的關鍵材料提供了新的設計策略。
隨著集成電路工藝向7nm及以下節點推進，13.5nm波長的EUV光刻成為核心技術。
但EUV光源反射損耗大、亮度低，對光刻膠在吸收效率、反應機制和缺陷控制等方面提出更高要求。
現有EUV光刻膠多依賴化學放大或金屬敏化團簇提高靈敏度，但往往結構複雜、組分不均、易擴散，容易引入缺陷。
學界認為，理想的EUV光刻膠應具備四項特性：高EUV吸收能力、高能量利用效率、分子均一性和儘可能小的構築單元，以提升靈敏度、降低缺陷和線邊緣粗糙度。
聚碲氧烷：理想的EUV光刻膠材料
來源：搜狐
