IT之家 11 月 8 日消息，第九屆中國國際進口博覽會於 11 月 5 日在國家會展中心（上海）開幕。
本次展會上，上海微電子裝備（集團）股份有限公司（簡稱 SMEE）攜自主研發的新一代前道乾式光刻機通用技術平臺模型正式亮相，展示我國前道光刻裝備自主化的階段性成果。
據介紹，SMEE 成立於 2002 年，是國內唯一具備前道乾式光刻機穩定量產交付能力的製造商，也是我國前道光刻裝備自主供給體系的核心支撐主體。
本次展出的模型採用透明剖視設計，直觀呈現整機光學光路與內部機電系統的鏈路佈局。該平臺為國產標準化前道光刻裝備架構，適配 I-line、KrF 兩類主流技術路線，整機核心的高精度物鏡與照明系統、高速雙工件臺與掩模臺、一體化自動物料傳輸系統、高精度對準調平傳感系統均實現全鏈條自主可控，具備穩定的工藝適配能力與產線運行可靠性。
IT之家獲悉，目前國產前道乾式光刻機成像性能已與國際同類領先產品水平相當，套刻精度、生產效率緊密追趕國際標杆；多臺設備已在國內頭部邏輯、存儲量產線長期穩定運行，累計支持產線流片超千萬片，設備有效運行率超 92%，形成自主技術可控、國產替代落地、產業鏈安全可靠的核心優勢，可全面支撐半導體、泛半導體產業發展需求。
延伸閱讀
公開資料顯示，SMEE 全稱為上海微電子裝備（集團）股份有限公司，成立於 2002 年 3 月，位於上海，隸屬上海電氣集團，企業註冊資本約 2.66 億元人民幣，定位“賦有國家使命的市場化公司”，自“十五”起先後承擔了多個國家 IC 前道光刻機研製專項任務。
按半導體制造工序分類，光刻設備分為前道和後道兩類，前道光刻機用於晶圓製造，後道則為封裝光刻機，精度和價值遠低於前道設備。文中提到的 I-line 與 KrF 均為深紫外（DUV）光源：I-line 波長為 365nm，KrF 波長為 248nm，兩者主要服務成熟製程；另有波長 193nm 的 ArF 乾式與浸沒式方案，其中浸沒式可提供 DUV 類別中最高的分辨率和處理能力。
雙工件臺是提升光刻機產能的關鍵技術。採用雙工作臺系統後，光刻機可在保持速度和加速度穩定的前提下實現兩個工作臺同時運作 —— 一個專注曝光作業，另一個同步進行曝光前的預對準準備，據測算可將生產效率提升約 35%。
來源：IT之家
