IT之家 11 月 10 日消息，Infineon（英飛凌）當地時間 9 日宣佈，其成功率先在全規模半導體晶圓廠環境中將 300mm（12 英寸）碳化硅 (SiC) 晶圓加工為功率半導體器件。
這一創舉基於奧地利 Villach 晶圓廠的現有硅 (Si) 半導體制造設備，顯示了大尺寸碳化硅晶圓在商業化上的實際潛力。英飛凌將與客戶和合作夥伴密切合作規劃 12 英寸 SiC 技術及量產時機，同時進一步推進其 200mm SiC 製造路線圖。
此外，英飛凌還在其德國德累斯頓工廠驗證了其冷分片技術在 12 英寸 SiC 上的可行性。這一工藝可提升晶錠到晶圓工藝的效率，同時減少加工損耗。
來源：IT之家
